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先进封装之玻璃基打孔技术

BV182jR67Ere · 投资知识分享
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发布时间 2026-06-24 17:21
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1
00:00:00,400 --> 00:00:03,160
玻璃具有优异的性能组合

2
00:00:05,219 --> 00:00:11,080
因此成为众多微电子MEMS器件的基板或封装材料首选

3
00:00:11,080 --> 00:00:14,218
适用于微流体和显示应用

4
00:00:14,449 --> 00:00:17,250
但玻璃也存在根本性限制

5
00:00:17,250 --> 00:00:22,179
它是非晶态材料,因此无法进行各向异性蚀刻

6
00:00:22,179 --> 00:00:27,500
因此通常用于制造微特征的光刻掩模会出现下蚀

7
00:00:27,500 --> 00:00:32,380
这些下蚀区域的生长速度与特征深度增长速度相同

8
00:00:32,529 --> 00:00:33,469
因此

9
00:00:33,469 --> 00:00:39,299
通过此工艺制造的微特征受限于小于1的纵横比

10
00:00:39,539 --> 00:00:46,100
替代微加工技术通常伴随低吞吐量和质量不足

11
00:00:46,100 --> 00:00:46,780
尤其

12
00:00:46,780 --> 00:00:47,700
微裂纹

13
00:00:47,700 --> 00:00:53,219
以及热应力是这些先进工艺的主要缺陷

14
00:00:54,380 --> 00:01:00,859
当使用激光诱导深蚀刻或LIED技术时可避免这些问题

15
00:01:00,859 --> 00:01:04,680
这是一种用于玻璃深特征的两步制造工艺

16
00:01:05,840 --> 00:01:06,759
在第一步

17
00:01:06,759 --> 00:01:11,319
标准玻璃由lpkf激光器进行脉冲激光处理

18
00:01:11,319 --> 00:01:15,049
以高速直接加工电子元件

19
00:01:15,049 --> 00:01:20,170
单个激光脉冲即可从一侧穿透整块玻璃

20
00:01:20,170 --> 00:01:24,049
每秒可产生数千个脉冲

21
00:01:25,310 --> 00:01:29,819
标准湿法蚀刻是LIED技术的第二步

22
00:01:29,819 --> 00:01:36,819
先前处理区域优先蚀刻并按需扩大至最终尺寸

23
00:01:36,939 --> 00:01:40,719
以此方式制造的微特征展现出卓越品质

24
00:01:40,719 --> 00:01:46,430
LIED处理的玻璃无微裂纹、崩边及热应力

25
00:01:46,430 --> 00:01:52,269
LIED处理玻璃展现出极高抗弯强度并不令人意外

26
00:01:53,569 --> 00:01:56,859
LIED技术拥有无限可能

27
00:01:56,980 --> 00:02:01,939
所有可能性的基础是单脉冲诱导的线状改性

28
00:02:01,939 --> 00:02:05,579
由前述单激光脉冲形成

29
00:02:05,760 --> 00:02:10,520
单个线状改性区域可形成微孔

30
00:02:11,218 --> 00:02:16,370
沿工具路径排列的改性序列形成微切口

31
00:02:16,490 --> 00:02:20,210
而未穿透的改性阵列

32
00:02:20,210 --> 00:02:23,729
完整玻璃基板形成凹槽

33
00:02:24,539 --> 00:02:29,520
低成本和多功能性使LIED成为电子领域新基础技术

34
00:02:29,520 --> 00:02:30,900
微流体

35
00:02:30,900 --> 00:02:33,180
显示与微系统
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